三星电子宣布推出业界首款1TB容量eUFS(嵌入式通用闪存)2.1芯片。它采用了三星最新的第五代V-NAND技术,堆叠16层512 Gb闪存,并配备了为其开发的新控制器,可提供1,000MB / s的连续读取速度,大约是SATA SSD的2倍microSD卡的5倍(但芯片尺寸仍然与512GB组件相同)。三星表示,它使其更适合大带宽应用,例如高帧数视频捕获、4K视频观看。

三星没有透露谁将推出首批产品(S10应该是最有可能的?),但表示在2019年上半年,第五代V-NAND工厂的产能将扩大到应对全世界所有产品的1TB的eUFS订单