国外媒体sammobile在3月21日报道称,三星已开发出第三代10nm 8Gb DDR4 DRAM,这是业界首款产品。新的10nm DDR4是业界最小的内存处理节点。与之前的1y-nm版本相比,其制造效率提高了20%以上,并将以超高性能和高效率推动DRAM解决方案的极限。此外,第三代DDR4产品不使用极紫外(EUV)处理。

三星开发出第一款10毫米第三代高性能DDR4DRAM-而后网
三星预计10nm DDR4将为下一代DRAM接口铺平道路,如DDR5,LPDDR5和GDDR6。

三星DRAM产品和技术执行副总裁Jung-bae Lee表示:“我们致力于突破技术领域的最大挑战,这一直在推动我们进行创新。我们很高兴再次奠定基础稳定生产下一代DRAM,确保最高性能和能效。”